Гетероструктуры на основе системы InAs/Si для элементной базы нового поколения приборов нано- и оптоэлектроники
Автор: Петров В.Н., Поляков Н.К., Егоров В.А., Голубок А.О., Цырлин Г.Э., Денисов Д.В., Цацульников А.Ф., Егоров А.Ю., Малеев Н.А., Устинов В.М.
Журнал: Научное приборостроение @nauchnoe-priborostroenie
Рубрика: Обзоры
Статья в выпуске: 4 т.10, 2000 года.
Бесплатный доступ
В данной работе обобщены экспериментальные результаты, полученные в Институте аналитического приборостроения РАН совместно с ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, по формированию методами на базе МПЭ квантоворазмерных гетерострукту р, в том числе с квантовыми точками, и их исследованию методами ДБЭО, СТМ, СЭМ, ТЭМ, РМА и ФЛ в системе InAs/Si для опто- и микроэлектронных приборов нового поколения с целью совмещения применения A3B5 и кремниевых технологий.
Короткий адрес: https://sciup.org/14264149
IDR: 14264149
Список литературы Гетероструктуры на основе системы InAs/Si для элементной базы нового поколения приборов нано- и оптоэлектроники
- Алфёров Ж.И.//ФТП. 1998. Т. 32, № 1. С. 1-18.
- Леденцов Н.Н., Устинов В.М., Щукин В.А. и др.//ФТП. 1998. Т. 32, № 4. С. 385-410.
- Шерняков Ю.М., Егоров А.Ю., Воловик Б.В. и др.//Письма ЖТФ. 1998. Т. 24, № 9. С. 50-55.
- Валиев К.А.//Перспективные технологии. 1999. Т. 6, № 3. С. 1.
- Иошкин В.А., Орликовский А.А., Октябрьский С.Р. и др.//Труды ФТИАН. 1994. М.: Наука, Т. 8. С. 58-102.
- Gerard J.M., Carbol J., Sermage B.//Appl. Phis. Lett. 1996. V. 68, N. 22. P. 3123-3125.
- Linder R.R., Philips J., Qasaimeh O. et al.//Appl. Phis. Lett. 1999. V. 74, N. 10. P. 1355-1357.
- Ledentsov N.N.//Proc. 23th Int. Conf. Phys. Semiconductors. Berlin. 1996/Ed. by M. Scheffler and R. Zimmermann. Singapoure: World Scientific, 1996. V. 1. P. 19-22.
- Цырлин Г.Э., Петров В.Н., Дубровский В.Г. и др.//Письма в ЖТФ. 1998. Т. 24, № 8. С. 10-15.
- Цырлин Г.Э., Петров В.Н., Дубровский В.Г. и др.//ФТП. 1999. Т. 33, № 9. С. 1066-1069.
- Петров В.Н., Поляков Н.К., Демидов В.Н. и др.//Научное приборостроение. 2000. Т. 10, № 1. С. 19-24.
- Цырлин Г.Э., Петров В.Н., Поляков Н.К. и др.//ФТП. 1999. Т. 33, № 10. С. 1158-1163.
- Петров В.Н., Демидов В.Н., Корнеева Н.П. и др.//ЖТФ. 2000. Т. 70, № 5. С. 97-101.
- Голубок А.О., Масалов С.А., Пономарева Н.Б и др.//Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 1998. № 2. С. 70.
- Kukushkin S.A., Osipov A.V.//Prog. Surf. Sci. 1996. V. 51. P. 1.
- Петров В.Н., Поляков Н.К., Егоров В.А. и др.//ФТП. 2000. Т. 34, № 7. С. 838-843.
- Cirlin G.E., Dubrovskii V.G., Petrov V.N. et al.//Semicond. Sci. Technol. 1998. V. 13. P. 1262-1265.
- Hatami F., Ledentsov N.N., Grundmann M. et al.//Appl. Phys. Lett. 1995. V. 67. P. 656-659.
