Исследование доменной структуры сегнетоэлектрических кристаллов триглицинсульфата с периодическим распределением примеси
Автор: Шут Виктор Николаевич, Мозжаров Сергей Евгеньевич, Кашевич Ирина Федоровна, Гайнутдинов Радмир Вильевич, Толстихина Алла Леонидовна, Белугина Наталья Васильевна
Журнал: Вестник Витебского государственного технологического университета @vestnik-vstu
Рубрика: Химическая технология и экология
Статья в выпуске: 1 (28), 2015 года.
Бесплатный доступ
Объектами исследования являются монокристаллы триглицинсульфата с послойно-периодическим изменением состава. Цель работы: исследование доменной структуры закономерно-неоднородных сегнетоэлектрических кристаллов, состоящих из регулярно чередующихся номинально чистых слоев и слоев, содержащих легирующие примеси. Методы исследования: доменная структура исследовалась методами нематических жидких кристаллов и силовой атомной микроскопии в режиме пьезоэлектрического отклика. В результате выполнения работы выращены монокристаллы триглицинсульфата с заданным послойно-периодическим изменением состава с различным периодом роста, проведено исследование доменной структуры кристаллов в зависимости от пирамиды роста и от периода роста. Показано, что образование примесных полос в кристалле происходит по-разному в зависимости от пирамиды роста. Установлено, что регулярное введение примеси приводит к образованию полос со специфической мелкодисперсной доменной структурой. Плотность доменных границ в слоях с неизоморфной примесью приблизительно в 2 раза выше, чем в слоях без примеси. Полученные результаты могут быть использованы для получения активных элементов ИК-детекторов и пировидиконов на основе кристаллов триглицинсульфата.
Неоднородные сегнетоэлектрики, рост кристаллов, триглицинсульфат, доменная структура
Короткий адрес: https://sciup.org/142184899
IDR: 142184899
Список литературы Исследование доменной структуры сегнетоэлектрических кристаллов триглицинсульфата с периодическим распределением примеси
- Голенищев -Кутузов, А.В. (2000), Индуцированные домены и периодические доменные структуры в электро -и магнитоупорядоченных веществах, Успехи физических наук, 2000, Т.170, № 7, С. 697-712.
- Aleksandrovski, A. L. (1996), Periodic Ferroelectric Domain Structures for Nonlinear Optics, (1996), Laser Physics, 1996, V. 6, pp. 1003-1012.
- Shur, V., Rumyantsev, E., Batchko, R., Miller, G., Fejer, M., Byer, R. (1999), Physical basis of the domain engineering in the bulk ferroelectrics, 1999. Ferroelectrics, V. 221, pp. 157-167.
- Nai -ben Ming, Jing -fen Hong, Duan Feng (1982), The growth striations and ferroelectric domain structures in Czochralski -grown LiNiO3 single crystals, 1982, Journal of materials science, N 17, pp. 1663-1670.
- Цедрик, М.С. (1986), Физические свойства кристаллов семейства триглицинсульфата, Минск, 216 с.
- Шут, В.Н., Кашевич, И.Ф., Сырцов, С.Р. (2008), Сегнетоэлектрические свойства кристаллов триглицинсульфата с неоднородным распределением примеси, Физика твердого тела, 2008, Т. 50. Вып.1. С. 115-118.
- Шут, В.Н., Кашевич, И.Ф., Сырцов, С.Р., Шнайдштейн, И.В. (2010), Сегнетоэлектрические водорастворимые кристаллы с закономерно неоднородным распределением примеси ионов хрома, Кристаллография, 2010, Т. 55, N 3, С. 495-498.
- Belugina, N.V., Tolstikhina, A.L., Gainutdinov, R.V., (2001), About the nature of two -dimensional formations at the polar surface of cleaved triglycine sulfate crystals, Ferroelectrics, 2001, V. 249 (3-4), pp. 237-255.
