Полупроводящие пленки на основе синтезированного методом трехфазных реакций полифосфата галлия

Вассель Наталья Петровна Курень Сергей Григорьевич Вассель Сергей Сергеевич Павлова Ирина Васильевна

Журнал: Advanced Engineering Research (Rostov-on-Don) @vestnik-donstu

Рубрика: Технические науки

Статья в выпуске: 3 (42) т.9, 2009 года.

Бесплатный доступ

Разработана методика синтеза полифосфата галлия методом обменных твердофазных реакций между нитратом галлия и однозамещенным фосфатом аммония в стехиометрических соотношениях. Представлены результаты исследований физико-химических свойств синтезированного Gа(РОз)з и композиций на его основе. Разработан состав и изучены свойства полупроводящих плёнок на основе синтезированного данным методом полифосфата галлия.

конденсированные фосфаты \ неорганические полимеры \ идентификация продуктов \ диаграммы состояния \ электропроводность

Похожие статьи в разделе Химия. Кристаллография. Минералогия

Синтез двойных молибдато-фосфатов состава Pr(Eu)2+1/3xZr3(MoO4)9-x(PO4)x
Синтез двойных молибдато-фосфатов состава Pr(Eu)2+1/3xZr3(MoO4)9-x(PO4)x

Доржиева Сэсэгма Гэлэгжамсуевна, Базарова Жибзема Гармаевна, Тушинова Юнна Лудановна, Михайлова Дарья Доктор, Хельмут Эренберг

Золь-гель синтез нанодисперсных твердых растворов на основе гексаферрита бария состава SrxBa(1-х)Fe12O19
Золь-гель синтез нанодисперсных твердых растворов на основе гексаферрита бария состава SrxBa(1-х)Fe12O19

Ковалев Андрей Игоревич, Винник Денис Александрович, Жеребцов Дмитрий Анатольевич, Белая Елена Александровна

Способы синтеза соединений фосфора R4PX, где Х - электроотрицательная группа
Способы синтеза соединений фосфора R4PX, где Х - электроотрицательная группа

Шарутин В.В., Механошина Е.С., Сахаутдинова М.Э., Байгильдина Д.Р., Мородецких М.О., Сажин О.А., Якшимбаев А.А., Журавлева С.А., Безгодова А.Р., Сычева С.В.

Структурные особенности твердого раствора (GaAs1-dBid)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y
Структурные особенности твердого раствора (GaAs1-dBid)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y

Бобоев А.Й., Одилов Ш.И., Уринбоев Ж.А., Турсунов Ш.У., Марифжонов К.Х., Солиев А.А.

Короткий адрес: https://sciup.org/14249280

IDS: 14249280

The semiconductor film at the base of gallium polyphosphate, synthesized by the method of solid-phase reaction

Gallium polyphosphate was synthesized using the method of solid-phase reaction between Ga(NO3)3 and NH4H2PO4. Some properties of gallium polyphosphate and compound on its basis, such as index of refraction, density, conduct- ivity were studied. New composition of semiconductor film is developed, and the properties semiconductor film at the base of gallium polyphosphate.

Список литературы Полупроводящие пленки на основе синтезированного методом трехфазных реакций полифосфата галлия

  • Surface properties and electromagnetic excitation of a piezoelectric gallium phosphate biosensor. Vasilescu Alina, Ballantyne Scott M., Cheran Larisa-Emilia, Thompson Michael.//Analyst. -2005. -№ 2. -С. 213-220.
  • Бухалова Г.А. Синтез полифосфата церия, его характеристика и систематизация фосфатов./Г.А. Бухалова, И.В.Мардиросова, М.М. Али//Журн. неорг. хим. -1988. -Т.33. -№ 10. -С. 2511.
  • Бухалова Г.А. Синтез и свойства метафосфата марганца./Г.А. Бухалова, И.Г. Рабкина, И.В. Мардиросова//Журн. неорг. хим. -1975. -Т.20. -№ 3. -С. 506-508.
  • Бухалова Г.А. Диаграмма плавкости Ga(PO3)3 -MIPO3 (MI-Li,Na)/Г.А. Бухалова, И.В. Мардиросова, Н.П. Вассель, М.А. Савенкова//Изв.АН СССР. Неорг. материалы. -1991. -Т. 24. -№4. -С. 828-831.
  • Мардиросова И.В. Диаграммы плавкости и некоторые свойства системы Ga(PO3)3 -KPO3/И.В. Мардиросова, Н.П. Вассель, М.А. Савенкова, Г.А. Бухалова//Неорг. материалы. -1992. -Т.28. -№7. -С.1483-1485.
  • Вассель Н.П. Система Ga(PO3)3-RbPO3/Н.П. Вассель, М.А. Савенкова, И.В. Мардиросова//Журн. неорг. хим. -1996. -Вып. 41. -№2. -С.313-315.
  • Укше Е.А. Твердые электролиты./Е.А. Укше, Н.Г. Букун. -М.: Наука, 1977.-175 с.
Еще