Войти
Регистрация
Журналы
Издательства
Подписки
Войти
Регистрация
Научные статьи
\
Прикладные науки. Медицина. Технология
\
Инженерное дело. Техника в целом
\
Общее машиностроение. Ядерная технология. Электротехника. Технология машиностроения
Электротехника - 621.3
Научные статьи
В разделе "Электротехника"
Поверхностное дипольное упорядочение субмикронных пленок полидифениленфталида
Особенности выращивания низкодислокационных кристаллов германия большого диаметра методом Чохральского
Влияние легирующей примеси оксида иттрия на структуру и свойства кристаллов (ZrO2)0,91-x(Sc2O3)0,09(Y2O3)х(x = 0,0,02)
Влияние базового состава и микроструктуры никель-цинковых ферритов на уровень поглощения электромагнитного излучения
Исследование материалов для ИК-лазеров на основе полупроводников AIIBVI, легированных ионами Fe2+
Формирование зарядовых насосов в структуре фотопреобразователей
Экспериментальное сопровождение технологии производства оксидно-никелевого катода магнетрона
Радиационно-индуцированная деградация КМОП-операционных усилителей в зависимости от мощности дозы и температуры при облучении
Влияние температуры экструзии на формирование структуры Bi0,5Sb1,5Te3 p-типа проводимости
О совместном действии температуры и электрического тока на пластичность монокристаллов кремния
Влияние параметров пластического формования на структурные характеристики термоэлектрического материала в процессе горячей экструзии
Типовая модель гетероструктуры для СВЧ-устройств
Эффекты низкоинтенсивного облучения в приборах и интегральных схемах на базе кремния
Микроскопические и рентгеноспектральные исследования массивов столбиков никеля в матрице диоксида кремния
Метод Чохральского: история и развитие
Магниторезистивный эффект в наноразмерном ферромолибдате стронция с диэлектрическими прослойками
Рынок монокристаллов GaAs - тенденции развития
Получение материала на основе селенида меди методами порошковой металлургии
Эволюция системы моделей и алгоритмов для расчетов параметров технологических процессов получения материалов микро- и наноэлектроники
Буферные слои в гетероструктурах
Наноразмерная характеризация металлических магнетронных нанопленочных мультислоев из Cr, Cu, Al, Ni на ситалле
К вопросу об определении объемного времени жизни по спаду фотопроводимости на непассивированных образцах монокристаллического кремния
Исследование процесса пластического формования при получении термоэлектрического материала на основе теллурида висмута
Упругонапряженные слои и наноостровки GeSiSn в многослойных периодических структурах
Исследование процессов пайки кремниевых кристаллов мощных транзисторов в их корпуса
Раздельное определение фотоэлектрических параметров базовой области кремниевых структур p+-n(p)-n+-типа бесконтактным методом по отношениям коэффициентов собирания при двух длинах волн
Рост электрических характеристик свинцово-кислотного аккумулятора под влиянием микроуглеродных добавок
Эффективность использования автоматического повторного включения в сопоставлении с причинами повреждений ВЛ-10 кВ
Анализ работы н-мостового каскадного инвертора
Операторы преобразования сигналов
Финансирование ракетно-космической отрасли: проблемы и возможные решения
Безопасное использование мобильного телефона. Минимизация вредных воздействий от излучения
Основные характеристики Wi-Fi сети и исследование безопасности её влияния на организм человека
Новейшие мобильные технологии
Опыт использования программно-целевого метода планирования в реформировании системы электроснабжения города Кумертау Республики Башкортостан
Инвестиционная составляющая электросетевой экономики России
Группировка объектов массива (по качеству действия)
Понятие bluetooth-технологии. Принцип её действия, исследование безопасности использования и анализ влияния на организм человека
Определение объектов на изображениях с помощью гистограммы направленных градиентов и метода опорных векторов
Обнаружение движущихся объектов с помощью компьютерного зрения и библиотеки OpenCV
← Предыдущая
Следующая страница →
1
|
...
|
149
|
150
|
151
|
152
|
153
|
154
|
155
|
...
|
В конец
Нет соединения с интернетом.
Проверьте соединение и повторите попытку.